氮化镓（GaN）充电器和普通充电器（通常指硅基充电器）在材料、性能、体积等方面有显著差异，以下是主要区别：
1. 核心材料不同
氮化镓（GaN）：第三代半导体材料，具有更高的电子迁移率、耐高温和耐高压特性，能量损耗更低。
普通充电器（硅/Si）：传统硅基材料，技术成熟但物理性能受限，高频下效率较低。
2. 体积与重量
GaN充电器：
因GaN材料的高效性，可大幅减少变压器和散热组件体积，相同功率下体积比普通充电器小30%~50%。
例如，65W的GaN充电器可接近苹果5W充电器的大小。
硅元件需要更大的空间和散热设计，大功率（如65W以上）时体积明显更大。
3. 效率与发热
GaN充电器：
开关频率更高，能量转换效率可达90%以上，发热量更低。
适合高功率快充（如PD 3.0、QC4+等协议）。
普通充电器：
效率较低（约80%~85%），高功率时发热明显，需额外散热设计。
4. 功率密度与快充能力
GaN充电器：
支持更高功率（目前市场常见30W~140W），多口输出（如同时给笔记本和手机快充）更稳定。
兼容多种快充协议（如PD、PPS、QC等）。
普通充电器：
大功率（如100W以上）时体积笨重，多口输出可能降功率。
5. 价格与寿命
GaN充电器：
价格较高（同功率下比硅基贵1.5~3倍），但长期使用更省电，寿命更长（因发热少）。
普通充电器：
价格低廉，但高负载下元件老化更快。
6. 适用场景
GaN充电器：
适合追求便携、多设备快充的用户（如笔记本、手机、平板同时充电）。
旅行或出差时减少携带负担。
普通充电器：
适合低功率需求（如18W以下）或预算有限的场景。
| 特性 | 氮化镓充电器 | 普通充电器 |
|---|---|---|
| 体积 | 小巧轻便 | 较大 |
| 效率 | >90% | 80%~85% |
| 发热 | 低 | 较高 |
| 快充支持 | 多协议高功率 | 有限 |
| 价格 | 较贵（但逐年下降） | 便宜 |
建议选择GaN的场景：需要大功率快充（如笔记本）、多设备同时充电，或注重便携性。
普通充电器仍有用武之地：低功率需求、对价格敏感的设备（如蓝牙耳机、智能手表）。
